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DFEG12060D-8R2M=P3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • DFEG12060D-8R2M=P3
    DFEG12060D-8R2M=P3

    DFEG12060D-8R2M=P3

  • 汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
    汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0754-84492320

    地址：廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁

  • 50000

  • MURATA

  • SMD

  • 2020+

  • -

  • 進(jìn)口全新原裝正品

  • DFEG12060D-8R2M=P3
    DFEG12060D-8R2M=P3

    DFEG12060D-8R2M=P3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
DFEG12060D-8R2M=P3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 8.2μH Shielded Inductor 8A 17 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFEG12060D
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • -
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 8.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 8A
  • 電流 - 飽和值
  • 11A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 17 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標(biāo)準(zhǔn)
  • 大小/尺寸
  • 0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.236"（6.00mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
DFEG12060D-8R2M=P3 技術(shù)參數(shù)
  • DFEG12060D-6R8M=P3 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 9A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:9A 電流 - 飽和值:11A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFEG12060D-5R6M=P3 功能描述:5.6μH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:5.6μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:13A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFEG12060D-4R7M=P3 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:14A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFEG12060D-3R3M=P3 功能描述:3.3μH Shielded Inductor 13A 6.3 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:13A 電流 - 飽和值:18A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:6.3 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFEG12060D-2R2M=P3 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 16A 4.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:16A 電流 - 飽和值:21A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.4 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFEG7030D-6R8M=P3 DFEG7030D-8R2M=P3 DFEH10040D-100M=P3 DFEH10040D-150M=P3 DFEH10040D-1R0M=P3 DFEH10040D-1R5M=P3 DFEH10040D-220M=P3 DFEH10040D-2R2M=P3 DFEH10040D-3R3M=P3 DFEH10040D-4R7M=P3 DFEH10040D-5R6M=P3 DFEH10040D-6R8M=P3 DFEH10040D-8R2M=P3 DFEH12060D-100M=P3 DFEH12060D-150M=P3 DFEH12060D-1R0M=P3 DFEH12060D-1R5M=P3 DFEH12060D-220M=P3
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