DFEH12060D-8R2M=P3

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說明
操作

DFEH12060D-8R2M=P3
汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0754-84492320
地址：廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁
70000
MURATA
SMD
2020+
-
進口全新原裝正品

DFEH12060D-8R2M=P3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

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1

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功能描述
8.2μH Shielded Inductor 8A 17 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
DFEH12060D
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
-
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
8.2μH
容差
±20%
額定電流
8A
電流 - 飽和值
11A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
17 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-40°C ~ 155°C
頻率 - 測試
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
大小/尺寸
0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.236"（6.00mm）
標準包裝
1

DFEH12060D-8R2M=P3 技術(shù)參數(shù)

DFEH12060D-6R8M=P3 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 9A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEH12060D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:9A 電流 - 飽和值:11A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 155°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DFEH12060D-5R6M=P3 功能描述:5.6μH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEH12060D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:5.6μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:13A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 155°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DFEH12060D-4R7M=P3 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEH12060D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:14A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 155°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DFEH12060D-3R3M=P3 功能描述:3.3μH Shielded Inductor 13A 6.3 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEH12060D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:13A 電流 - 飽和值:18A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:6.3 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 155°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DFEH12060D-2R2M=P3 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 16A 4.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEH12060D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:16A 電流 - 飽和值:21A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.4 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 155°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬（13.00mm x 12.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 DFEH7030D-6R8M=P3 DFEH7030D-8R2M=P3 DFG001EE1C DFG001EE1R DFG001EE2C DFG001EE2R DFG001EP1C DFG001EP2R DFG001FE1C DFG001FE2C DFG001FE2R DFG001PP1C DFG001PP1R DFG001PP2C DFG001PP2R DFG005EE1R DFG005EE2C DFG005EE2R