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DFEG7030D-1R0M=P3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DFEG7030D-1R0M=P3
    DFEG7030D-1R0M=P3

    DFEG7030D-1R0M=P3

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 18222

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • DFEG7030D-1R0M=P3
    DFEG7030D-1R0M=P3

    DFEG7030D-1R0M=P3

  • 汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
    汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0754-84492320

    地址:廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁

  • 615000

  • TOKO

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 進口全新原裝正品

  • DFEG7030D-1R0M=P3
    DFEG7030D-1R0M=P3

    DFEG7030D-1R0M=P3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
DFEG7030D-1R0M=P3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 1μH Shielded Inductor 9.1A 9.9 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFEG7030D
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • -
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 1μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 9.1A
  • 電流 - 飽和值
  • 12A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 9.9 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標準
  • 大小/尺寸
  • 0.276" 長 x 0.260" 寬(7.00mm x 6.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.118"(3.00mm)
  • 標準包裝
  • 1
DFEG7030D-1R0M=P3 技術參數(shù)
  • DFEG7030D-150M=P3 功能描述:15μH Shielded Inductor 2.2A 147 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG7030D 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):147 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.276" 長 x 0.260" 寬(7.00mm x 6.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 DFEG7030D-100M=P3 功能描述:10μH Shielded Inductor 3A 82 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG7030D 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:4.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):82 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.276" 長 x 0.260" 寬(7.00mm x 6.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 DFEG12060D-8R2M=P3 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 8A 17 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:11A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):17 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬(13.00mm x 12.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 DFEG12060D-6R8M=P3 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 9A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:9A 電流 - 飽和值:11A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):14 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬(13.00mm x 12.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 DFEG12060D-5R6M=P3 功能描述:5.6μH Shielded Inductor 10A 11 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DFEG12060D 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:5.6μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:13A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):11 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.512" 長 x 0.496" 寬(13.00mm x 12.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 DFEH10040D-150M=P3 DFEH10040D-1R0M=P3 DFEH10040D-1R5M=P3 DFEH10040D-220M=P3 DFEH10040D-2R2M=P3 DFEH10040D-3R3M=P3 DFEH10040D-4R7M=P3 DFEH10040D-5R6M=P3 DFEH10040D-6R8M=P3 DFEH10040D-8R2M=P3 DFEH12060D-100M=P3 DFEH12060D-150M=P3 DFEH12060D-1R0M=P3 DFEH12060D-1R5M=P3 DFEH12060D-220M=P3 DFEH12060D-2R2M=P3 DFEH12060D-3R3M=P3 DFEH12060D-4R7M=P3
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