DFE252012P-4R7M=P2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252012P-4R7M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252012P-4R7M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
主營優(yōu)勢
1851
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3

DFE252012P-4R7M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE252012P-4R7M=P2 PDF下載

功能描述
4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 200 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012P
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
4.7μH
容差
±20%
額定電流
2A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
200 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

DFE252012P-4R7M=P2 技術參數(shù)

DFE252012P-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 84 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:84 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:3.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 42 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:4.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012F-R82M=P2 功能描述:820nH Shielded Inductor 3.6A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:820nH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:35 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3