DFE252008C-R47M=P2

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DFE252008C-R47M=P2
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
713969
Murata Electronics
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

DFE252008C-R47M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252008C-R47M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
MURATA/村田
SMD
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功能描述
470nH Shielded Wirewound Inductor 3A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252008C
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
470nH
容差
±20%
額定電流
3A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
60 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.031"（0.80mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

DFE252008C-R47M=P2 技術(shù)參數(shù)

DFE252008C-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 438 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:438 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252008C-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:252 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252008C-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:180 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252008C-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 126 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:126 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252008C-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 91 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2 DFE252010R-H-4R7M=P2 DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-1R0M=P2

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