DFE252008C-3R3M=P2

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說明
操作

DFE252008C-3R3M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252008C-3R3M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
TOKO
SMD
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

DFE252008C-3R3M=P2
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Murata
22+
-
原裝正品

DFE252008C-3R3M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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DFE252008C-3R3M=P2 PDF下載

功能描述
3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252008C
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
3.3μH
容差
±20%
額定電流
1.3A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
252 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.031"（0.80mm）
標準包裝
1

DFE252008C-3R3M=P2 技術參數

DFE252008C-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:180 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252008C-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 126 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:126 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252008C-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 91 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE201612R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 40 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態(tài):新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 154 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態(tài):新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:154 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2 DFE252010R-H-4R7M=P2