參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C425
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 1K x 9 Asynchronous FIFO(1K x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）)
中文描述： 每1000 × 9異步FIFO（每1000 × 9位異步先進(jìn)先出（FIFO）的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/25頁(yè)
文件大小： 483K
代理商： CY7C425
CY7C419/21/25/29/33
Document #: 38-06001 Rev. *B
Page 5 of 25
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[7, 8]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
Min.
20
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
Min.
25
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
Min.
30
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
Min.
35
Parameter
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR[6,9]
t
DVR[9,10]
t
HZR[6,9,10]
t
WC
t
PW
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
RPW
t
WPW
t
RTC
t
PRT
t
RTR
Notes:
7. Test conditions assume signal transition time of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and 30 pF load
capacitance, as in part (a) of AC Test Load and Waveforms, unless otherwise specified.
8. See the last page of this specification for Group A subgroup testing information.
9. t
HZR
transition is measured at +200 mV from V
OL
and –200 mV from V
OH
. t
DVR
transition is measured at the 1.5V level. t
HWZ
and t
LZR
transition is measured
at
±
100 mV from the steady state.
10.t
HZR
and t
DVR
use capacitance loading as in part (b) of AC Test Load and Waveforms.
Description
Max.
Max.
Max.
Max.
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Read Cycle Time
Access Time
Read Recovery Time
Read Pulse Width
Read LOW to Low Z
Data Valid After Read HIGH
Read HIGH to High Z
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Write HIGH to Low Z
Write Recovery Time
Data Set-Up Time
Data Hold Time
MR Cycle Time
MR Pulse Width
MR Recovery Time
Read HIGH to MR HIGH
Write HIGH to MR HIGH
Retransmit Cycle Time
Retransmit Pulse Width
Retransmit Recovery Time
10
15
20
25
10
10
3
5
10
15
3
5
10
20
3
5
10
25
3
5
15
15
15
18
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C421 512 x 9 Asynchronous FIFO(512 x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）)
CY7C429 2K x 9 Asynchronous FIFO(2K x 9位 異步先進(jìn)先出（FIFO）)
CY7C433 4K x 9 Asynchronous FIFO(4K x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）)
CY7C43632 512 x36 x2 Bidirectional Synchronous FIFO(512 x36 x2 雙向同步先進(jìn)先出)
CY7C43622 256 x36 x2 Bidirectional Synchronous FIFO(256 x36 x2 雙向同步先進(jìn)先出)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C425-10AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1K X 9 28 PIN .300 PARALLEL-CASCADEABLEFIFO " - Bulk
CY7C425-10ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32-Pin TQFP T/R
CY7C425-10AXC 功能描述:先進(jìn)先出 1Kx9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
CY7C425-10AXCT 功能描述:先進(jìn)先出 1Kx9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
CY7C425-10JC 功能描述:IC ASYNC FIFO MEM 1KX9 32-PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - FIFO 系列:CY7C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:74F 功能:異步 存儲(chǔ)容量:256（64 x 4） 數(shù)據(jù)速率:- 訪問(wèn)時(shí)間:- 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:24-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:24-PDIP 包裝:管件 其它名稱(chēng):74F433
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