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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C425 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 1K x 9 Asynchronous FIFO(1K x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）) |
| 中文描述： | 每1000 × 9異步FIFO（每1000 × 9位異步先進(jìn)先出（FIFO）的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/25頁 |
| 文件大小： | 483K |
| 代理商： | CY7C425 |
CY7C419/21/25/29/33
Document #: 38-06001 Rev. *B
Page 3 of 25
Operating Range
Range
Commercial
Industrial
Military
Ambient Temperature
[2]
0
°
C to + 70
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–55
°
C to +125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[3]
7C419–10, 15, 30, 40
7C420/1–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C424/5–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C428/9–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C432/3–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
Min.
2.4
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
Description
Test Conditions
V
CC
= Min., I
OH
= –2.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 8.0 mA
Max.
Unit
V
V
V
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
0.4
V
CC
V
CC
0.8
+10
+10
–90
Com’l
Mil/Ind
2.0
2.2
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
Input LOW Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Short Circuit Current
[5]
Note 4
–10
–10
V
μ
A
μ
A
mA
GND < V
I
< V
CC
R > V
IH
, GND < V
O
< V
CC
V
CC
= Max., V
OUT
= GND
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[3]
(continued)
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
Min.
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
Min.
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
Min.
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
Min.
Parameter
I
CC
Description
Operating Current
Test Conditions
V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA
f = f
MAX
V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA
F = 20 MHz
All Inputs =
V
IH
Min.
Max.
85
Max.
65
100
Max.
55
90
Max.
50
80
Unit
mA
Com’l
Mil/Ind
I
CC1
Operating Current
Com’l
35
35
35
35
mA
I
SB1
Standby Current
Com’l
Mil/Ind
Com’l
Mil/Ind
10
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
I
SB2
Power-Down Current All Inputs >
V
CC
–0.2V
5
mA
Notes:
2. T
is the “instant on” case temperature.
3. See the last page of this specification for Group A subgroup testing information.
4. V
(Min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.
5. For test purposes, not more than one output at a time should be shorted. Short circuit test duration should not exceed 30 seconds.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C421 | 512 x 9 Asynchronous FIFO(512 x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）) |
| CY7C429 | 2K x 9 Asynchronous FIFO(2K x 9位 異步先進(jìn)先出（FIFO）) |
| CY7C433 | 4K x 9 Asynchronous FIFO(4K x 9 位異步先進(jìn)先出（FIFO）) |
| CY7C43632 | 512 x36 x2 Bidirectional Synchronous FIFO(512 x36 x2 雙向同步先進(jìn)先出) |
| CY7C43622 | 256 x36 x2 Bidirectional Synchronous FIFO(256 x36 x2 雙向同步先進(jìn)先出) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C425-10AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1K X 9 28 PIN .300 PARALLEL-CASCADEABLEFIFO " - Bulk |
| CY7C425-10ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32-Pin TQFP T/R |
| CY7C425-10AXC | 功能描述:先進(jìn)先出 1Kx9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
| CY7C425-10AXCT | 功能描述:先進(jìn)先出 1Kx9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
| CY7C425-10JC | 功能描述:IC ASYNC FIFO MEM 1KX9 32-PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - FIFO 系列:CY7C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:74F 功能:異步 存儲容量:256（64 x 4） 數(shù)據(jù)速率:- 訪問時間:- 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:24-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:24-PDIP 包裝:管件 其它名稱:74F433 |
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