參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C2566KV18-450BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 18/28頁(yè)
文件大?。?/td> 831K
代理商： CY7C2566KV18-450BZI
PRELIMINARY
CY7C2566KV18, CY7C2577KV18
CY7C2568KV18, CY7C2570KV18
Document Number: 001-15889 Rev. *D
Page 25 of 28
Ordering Information
The following table lists all possible speed, package and temperature range options supported for these devices. Note that some
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Table 11. Ordering Information
Speed
(MHz)
Ordering Code
Package
Diagram
Package Type
Operating
Range
550
CY7C2566KV18-550BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2577KV18-550BZC
CY7C2568KV18-550BZC
CY7C2570KV18-550BZC
CY7C2566KV18-550BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2577KV18-550BZXC
CY7C2568KV18-550BZXC
CY7C2570KV18-550BZXC
CY7C2566KV18-550BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2577KV18-550BZI
CY7C2568KV18-550BZI
CY7C2570KV18-550BZI
CY7C2566KV18-550BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2577KV18-550BZXI
CY7C2568KV18-550BZXI
CY7C2570KV18-550BZXI
500
CY7C2566KV18-500BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2577KV18-500BZC
CY7C2568KV18-500BZC
CY7C2570KV18-500BZC
CY7C2566KV18-500BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2577KV18-500BZXC
CY7C2568KV18-500BZXC
CY7C2570KV18-500BZXC
CY7C2566KV18-500BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2577KV18-500BZI
CY7C2568KV18-500BZI
CY7C2570KV18-500BZI
CY7C2566KV18-500BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2577KV18-500BZXI
CY7C2568KV18-500BZXI
CY7C2570KV18-500BZXI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
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CZ12010T0050GBK 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
CZ5360D 25 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C25682KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-500BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25682KV18-550BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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