參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1518V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/28頁(yè)
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代理商： CY7C1518V18-300BZI
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
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167
CY7C1516V18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZC
CY7C1518V18-167BZC
CY7C1520V18-167BZC
CY7C1516V18-167BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXC
CY7C1518V18-167BZXC
CY7C1520V18-167BZXC
CY7C1516V18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZI
CY7C1518V18-167BZI
CY7C1520V18-167BZI
CY7C1516V18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXI
CY7C1518V18-167BZXI
CY7C1520V18-167BZXI
200
CY7C1516V18-200BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZC
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CY7C1516V18-200BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXC
CY7C1518V18-200BZXC
CY7C1520V18-200BZXC
CY7C1516V18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZI
CY7C1518V18-200BZI
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXI
CY7C1518V18-200BZXI
CY7C1520V18-200BZXI
250
CY7C1516V18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-250BZC
CY7C1518V18-250BZC
CY7C1520V18-250BZC
CY7C1516V18-250BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-250BZXC
CY7C1518V18-250BZXC
CY7C1520V18-250BZXC
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Industrial
Commercial
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CY7C1518V18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518V18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1520AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520AV18-200BZCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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