參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1518V18-300BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 2/28頁
文件大?。?/td> 457K
代理商: CY7C1518V18-300BZI
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1516V18)
CLK
Gen.
A
(21: 0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
NWS
[1 : 0]
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
V
REF
W
8
C
C
8
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1527V18)
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[0]
DQ
[8: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
V
REF
W
9
C
C
9
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1518V18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518V18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-200BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518YC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518ZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1520AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520AV18-200BZCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ