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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1518V18-300BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 26/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | CY7C1518V18-300BZC |
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CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
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CY7C1516V18-250BZI
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CY7C1520V18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
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| CY7C1520AV18-200BZCT | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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