參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1518AV18-278BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 24/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1133K
代理商： CY7C1518AV18-278BZXC
PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
30.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
READ
2
READ
8
READ
3
NOP
4
NOP
5
WRITE
7
WRITE
6
NOP
1
9
10
Q40
tKHCH
tCO
t
tHC
t
tHA
tSD
tHD
tKHCH
tSD
tHD
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tDOH
tCHZ
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
A0
D20
D21
D30
D31
Q00
Q11
Q01
Q10
A1
A2
A3
A4
Q41
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tKL
tCYC
K
K
LD
R/W
A
DQ
C
C#
CQ
CQ#
SA
tKH
tKHKH
t
CQD
t
CQDOH
tCQH
tCQHCQH
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1518AV18-278BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-300BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-300BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518JV18-312BZC 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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