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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1518AV18-278BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1518AV18-278BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 21 of 28
Capacitance
[21]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
Max.
5.5
8.5
6
Unit
pF
pF
pF
C
IN
C
CLK
C
O
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
Thermal Resistance
[21]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
165 FBGA Package
16.2
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance,
per EIA / JESD51.
Θ
JC
2.3
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Note:
22.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, V
= 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[22]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1518AV18-278BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-312BZC | 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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