參數(shù)資料
型號: CY7C1474V33-250BGXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 1M X 72 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA209
封裝: 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209
文件頁數(shù): 5/29頁
文件大小: 471K
代理商: CY7C1474V33-250BGXI
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *I
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Pin Configurations
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209-ball FBGA (14 x 22 x 1.76 mm) Pinout
CY7C1474V33 (1M x 72)
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1475V25-100BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-100BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-133BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-133BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1475BV25-133BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (1Mx72) 2.5v 133MHz FLO-THRU 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1475V33-100AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72MB (1MBX72) NOBL FLOW-THRU, 3.3V CORE, 2.5/3.3V I/O - Bulk
CY7C1475V33-100BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 72MBIT 1MX72 8.5NS 209FBGA - Bulk
CY7C1475V33-133BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 3.3V 72MBIT 1MX72 6.5NS 209FBGA - Bulk
CY7C14802BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: