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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1472V33-200BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 378K |
| 代理商： | CY7C1472V33-200BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
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209-ball PBGA
CY7C1474V33 (1M X 72)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-200BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-250AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-250BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-250BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33 | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-200BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1472V33-200BZIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1472V33-250AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 72MBIT 4MX18 3NS 100TQFP - Bulk |
| CY7C1472XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C147-35KMB | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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