參數(shù)資料
型號: CY7C1472V33-200BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù): 26/28頁
文件大?。?/td> 378K
代理商: CY7C1472V33-200BZC
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
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Package Diagrams
(continued)
209-Ball FBGA (14 x 22 x 1.76 mm) BB209A
51-85167-**
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1472V33-200BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-250AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-250BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-250BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1472V33-200BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472V33-200BZIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472V33-250AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 72MBIT 4MX18 3NS 100TQFP - Bulk
CY7C1472XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C147-35KMB 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: