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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1393BV18-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1393BV18-167BZC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 4 of 27
Pin Configurations
CY7C1392BV18 (2M x 8)
2
3
A
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NWS
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REF
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CQ
Q3
D3
NC
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NC/36M
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LD
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TDI
TMS
A
CY7C1992BV18 (2M x 9)
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BWS
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TDO
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NC/288M
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CQ
Q3
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TDI
TMS
A
165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-167BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1393BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1393BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1393BV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1393BV18-200BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V IND DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393BV18-278BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393CV18-250BXZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393CV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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