參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1393BV18-167BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 23/27頁(yè)
文件大?。?/td> 446K
代理商： CY7C1393BV18-167BZC
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 23 of 27
Switching Waveforms
[28, 29, 30]
Notes:
28.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0 + 1.
29.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
30.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram
K
1
2
3
4
5
6
7
8
K
LD
R/W
A
Q
D
C
C#
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
tKHCH
tKHCH
NOP
NOP
CQ
CQ#
tKH
tKHKH
tCO
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
tSD
tHD
tSD
tHD
tCLZ
tDOH
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
tCQD
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
DON’T CARE
UNDEFINED
A0
A1
A2
A3
A4
D20
D21
D30
D31
Q40
Q11
Q10
Q41
Q00
Q01
tCQDOH
tCHZ
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1393BV18-167BZI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1393BV18-167BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1393BV18-167BZXI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1393BV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1393BV18-200BZI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1393BV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V IND DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1393BV18-278BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1393CV18-250BXZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1393CV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1393DC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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