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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1381D-133BGC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | CY7C1381D-133BGC |
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PRELIMINARY
CY7C1381D
CY7C1383D
Document #: 38-05544 Rev. *A
Page 20 of 29
Thermal Resistance
[18]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedence, per EIA / JESD51.
TQFP Package BGA Package fBGA Package
31
45
Unit
°C/W
46
Θ
JC
6
7
3
°C/W
Capacitance
[18]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25°C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
TQFP Package
5
5
5
BGA Package
8
8
8
fBGA Package
9
9
9
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
AC Test Loads and Waveforms
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[20, 21]
Parameter
t
POWER
Clock
t
CYC
t
CH
t
CL
Output Times
t
CDV
t
DOH
t
CLZ
t
CHZ
t
OEV
t
OELZ
t
OEHZ
Setup Times
t
AS
Description
133 MHz
Min.
1
100 MHz
Min.
1
Unit
ms
Max.
Max.
V
DD
(Typical) to the first Access
[19]
Clock Cycle Time
Clock HIGH
Clock LOW
7.5
2.1
2.1
10
2.5
2.5
ns
ns
ns
Data Output Valid After CLK Rise
Data Output Hold After CLK Rise
Clock to Low-Z
[20, 21, 22]
Clock to High-Z
[20, 21, 22]
OE LOW to Output Valid
OE LOW to Output Low-Z
[20, 21, 22]
OE HIGH to Output High-Z
[20, 21, 22]
6.5
8.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2.0
2.0
0
2.0
2.0
0
4.0
3.2
5.0
3.8
0
0
4.0
5.0
Address Set-up Before CLK Rise
1.5
1.5
ns
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R =1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1381D-133BGXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-133BZC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-133BZXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383D-100AXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1381D-133BGXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1381D-133BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1381DV25-133AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1381F-133BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381F-133BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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