參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1370D-250BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 512K X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119
封裝： (14 X 22 X 2.4) MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 14/30頁(yè)
文件大?。?/td> 344K
代理商： CY7C1370D-250BGC
PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 14 of 30
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels............................................... .V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
Note:
11.All voltages referenced to V
SS
(GND).
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[11]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
OH
= –4.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= –1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= –100 μA
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
IH
Input HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
GND < V
IN
< V
DDQ
2.0
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
1.7
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.5
–0.3
–5
V
V
μA
I
X
Input Load Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1370D-250BGI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BZC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250BZI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D-167AXC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1370D-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 2.6NS 165FBGA - Bulk
CY7C1370DV25-167 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1370DV25-167AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1370DV25-167AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1370DV25-167AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*