參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1354CV25-200BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 3.2 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 21/28頁(yè)
文件大?。?/td> 444K
代理商： CY7C1354CV25-200BZXC
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *H
Page 21 of 28
ZZ Mode Timing
[27, 28]
Notes:
27.Device must be deselected when entering ZZ mode. See cycle description table for all possible signal conditions to deselect the device.
28.I/Os are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1354CV25-200BZXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-166AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-166AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1354D-200BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC SRAMS - Trays 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165FBGA
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CY7C1354S-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1354S-166AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354S-166BGC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYNC 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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