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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1354C-200BGXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.2 ns, PBGA119 |
| 封裝： | (14 X 22 X 2.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1354C-200BGXI |
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CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 22 of 28
27.Device must be deselected when entering ZZ mode. See cycle description table for all possible signal conditions to deselect the device.
28.I/Os are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
ZZ Mode Timing
[27, 28]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1354C-200BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-166BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1354C-250AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1354C-250AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1354CV25-166AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1354CV25-166AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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