參數(shù)資料
型號: CY7C1354C-166BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
封裝: (13 X 15 X 1.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-165
文件頁數(shù): 9/28頁
文件大?。?/td> 467K
代理商: CY7C1354C-166BZXI
CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 9 of 28
NOP/WRITE ABORT (Begin Burst)
WRITE ABORT (Continue Burst)
IGNORE CLOCK EDGE (Stall)
SLEEP MODE
None
Next
Current
None
L
X
X
X
L
L
L
H
L
H
X
X
L
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
L-H
L-H
L-H
X
Tri-State
Tri-State
-
Tri-State
Partial Write Cycle Description
[2, 3, 4, 9]
Function (CY7C1354C)
WE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
d
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
c
X
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
b
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
a
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Write
–No bytes written
Write Byte a –
(DQ
a
and DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Bytes b, a
Write Byte c –
(DQ
c
and DQP
c
)
Write Bytes c, a
Write Bytes c, b
Write Bytes c, b, a
Write Byte d –
(DQ
d
and DQP
d
)
Write Bytes d, a
Write Bytes d, b
Write Bytes d, b, a
Write Bytes d, c
Write Bytes d, c, a
Write Bytes d, c, b
Write All Bytes
Partial Write Cycle Description
[2, 3, 4, 9]
Function (CY7C1356C)
WE
H
L
L
L
L
BW
b
x
H
H
L
L
BW
a
x
H
L
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte a
(DQ
a
and
DQP
a)
Write Byte b – (DQ
b
and DQP
b)
Write Both Bytes
Note:
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
Truth Table
[2, 3, 4, 5, 6, 7, 8]
Operation
Address
Used
CE ZZ
ADV/LD
WE
BWx
OE
CEN
CLK
DQ
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1354C-200AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1354C-200AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1354C-200BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1354C-200BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1354C-200BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1354C-167AXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1354C-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync PL COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354C-200AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync PL COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354C-200AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync-PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354C-200AXIKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: