參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1143V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 18兆位的國(guó)防評(píng)估報(bào)告⑩- II SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（2.0周期讀寫(xiě)延遲）
文件頁(yè)數(shù)： 22/28頁(yè)
文件大?。?/td> 954K
代理商： CY7C1143V18
CY7C1141V18
CY7C1156V18
CY7C1143V18
CY7C1145V18
Document Number: 001-06583 Rev. *C
Page 22 of 28
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
C
IN
C
CLK
C
O
Description
Test Conditions
Max
5
6
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
13.48
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(junction to ambient)
Thermal Resistance
(junction to case)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance, in
accordance with EIA/JESD51.
°C/W
Θ
JC
4.15
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
Figure 6. AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
5pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[21]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
Notes
21.Unless otherwise noted, test conditions are based on signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1143V18-300BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1143V18-300BZI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1143V18-300BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1143V18-300BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1145V18 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1145KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1145KV18-400BZXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 512Kb x 36 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1145KV18-400BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb QDR II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1145KV18-400ZXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1145KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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