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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1141V18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大小： | 954K |
| 代理商： | CY7C1141V18-300BZXI |
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CY7C1141V18
CY7C1156V18
CY7C1143V18
CY7C1145V18
Document Number: 001-06583 Rev. *C
Page 4 of 28
Pin Configurations
CY7C1141V18 (2M x 8)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
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CQ
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TMS
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CY7C1156V18 (2M x 9)
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TDI
TMS
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A
NC
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1143V18 | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1143V18-300BZC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1143V18-300BZI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1143V18-300BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1143V18-300BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1143KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1143KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1143KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1145KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1145KV18-400BZXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1.8V 512Kb x 36 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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