參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1021CV33-10ZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 379K
代理商： CY7C1021CV33-10ZXC
CY7C1021CV33
Document #: 38-05132 Rev. *G
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AC Test Loads and Waveforms
[6]
Notes:
5. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
6. AC characteristics (except High-Z) for all 8-ns parts are tested using the load conditions shown in Figure (a). All other speeds are tested using the Thevenin load
shown in Figure (b). High-Z characteristics are tested for all speeds using the test load shown in Figure (d).
Capacitance
[5]
Parameter
C
IN
C
OUT
Description
Test Conditions
Max.
8
8
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz, V
CC
= 3.3V
Thermal Resistance
[5]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
SOJ
65.06
TSOP II
76.92
FBGA
95.32
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for
measuring thermal impedance, per
EIA/JESD51
Θ
JC
34.21
15.86
10.68
°
C/W
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
3.3V
OUTPUT
30 pF*
* CAPACITIVE LOAD CONSISTS
OF ALL COMPONENTS OF THE
TEST ENVIRONMENT
(b)
R 317
R2
351
Rise Time: 1 V/ns
Fall Time: 1 V/ns
30 pF*
OUTPUT
Z = 50
50
1.5V
(c)
(a)
3.3V
OUTPUT
5 pF
(d)
R 317
R2
351
8-ns devices:
10-, 12-, 15-ns devices:
High-Z characteristics:
[+] Feedback
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1021CV33-10ZXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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