參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1021CV33-10ZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大小： 379K
代理商： CY7C1021CV33-10ZXC
CY7C1021CV33
Document #: 38-05132 Rev. *G
Page 4 of 13
Maximum Ratings
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Storage Temperature .................................–65
°
C to +150
°
C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................–55
°
C to +125
°
C
Supply Voltage on V
CC
Relative to GND
[4]
....–0.5V to +4.6V
DC Voltage Applied to Outputs
in High-Z State
[4]
......................................–0.5V to V
CC
+0.5V
DC Input Voltage
[4]
...................................–0.5V to V
CC
+0.5V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage............................................>2001V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-up Current......................................................>200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature (T
A
)
0
°
C to +70
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +125
°
C
V
CC
Commercial
Industrial
Automotive-A
Automotive -E
3.3V
±
10%
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
Output HIGH
Voltage
Output LOW
Voltage
Input HIGH
Voltage
Input LOW
Voltage
[4]
Input Leakage
Current
Test Conditions
V
CC
= Min.,
I
OH
= –4.0 mA
V
CC
= Min.,
I
OL
= 8.0 mA
-8
-10
-12
-15
Unit
V
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
V
OL
0.4
0.4
0.4
0.4
V
V
IH
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
IL
–0.3
0.3
–0.3
–0.3
V
I
IX
GND < V
I
< V
CC
Com’l/Ind’l
1
+
1
1
+1
–1
+1
–1
–1
+1
+1
μ
A
Auto-A
Auto-E
Com’l/Ind’l
Auto-A
Auto-E
Com’l/Ind’l
Auto-A
Auto-E
Com’l/Ind’l
Auto-A
Auto-E
–12
–1
+12
+1
I
OZ
Output Leakage
Current
GND < V
I
< V
CC
,
Output Disabled
1
+
1
1
+1
–1
–1
+1
+1
μ
A
–12
+12
85
I
CC
V
CC
Operating
Supply Current
V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
95
90
80
80
mA
mA
90
15
I
SB1
Automatic CE
Power-Down
Current —TTL
Inputs
Max. V
CC
,
CE > V
IH
V
IN
> V
IH
or
V
IN
< V
IL
,
f = f
MAX
Max. V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V,
or V
IN
< 0.3V,
f = 0
15
15
15
15
mA
20
I
SB2
Automatic CE
Power-Down
Current —CMOS
Inputs
Com’l/Ind’l
Auto-A
Auto-E
5
5
5
5
5
mA
10
Note:
4. V
IL
(min.) = –2.0V and V
IH
(max) = V
CC
+ 0.5V for pulse durations of less than 20 ns.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1021CV33-10ZXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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