參數(shù)資料
型號： CY7C1021BNV33L-15ZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 64K x 16 Static RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 530K
代理商： CY7C1021BNV33L-15ZXC
CY7C1021BNV33
Document #: 001-06433 Rev. **
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)
[13, 14]
Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
Notes:
13.Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= V
.
14.If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
BHE, BLE
t
t
HD
t
SD
t
BW
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
t
SCE
DATA I/O
ADDRESS
BHE, BLE
WE
CE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1021BNV33L-15ZXI 64K x 16 Static RAM
CY7C1021CV26 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV26-15ZE 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV33-10BAXI 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021CV33-10VXC 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
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參數(shù)描述
CY7C1021BNV33L-15ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021BNV33L-15ZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K x 16 ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1021BNV33L-15ZXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K x 16 ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1021BV3310BAC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1021BV33-10BACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 48-Pin FBGA T/R
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