參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C09379-6AC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM
中文描述： 32K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100
封裝： PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 5/18頁(yè)
文件大小： 342K
代理商： CY7C09379-6AC
CY7C09279/89
CY7C09379/89
Document #: 38-06040 Rev. **
Page 5 of 18
Note:
10. CE
L
and CE
R
are internal signals. To select either the left or right port, both CE
0
AND CE
1
must be asserted to their active states (CE
0
≤
V
IL
and CE
1
≥
V
IH
).
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
CY7C09279/89
CY7C09379/89
Unit
V
-6
[1]
-7
-9
-12
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
2.4
2.4
Output HIGH Voltage
(V
CC
= Min., I
OH
=
–
4.0 mA)
Output LOW Voltage
(V
CC
= Min., I
OH
= +4.0 mA)
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Output Leakage Current
Operating Current
(V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA)
Outputs Disabled
Standby Current (Both
Ports TTL Level)
[10]
CE
L
& CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX
Standby Current (One
Port TTL Level)
[10]
CE
L
| CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX
Standby Current (Both
Ports CMOS Level)
[10]
CE
L
& CE
R
≥
V
CC
–
0.2V, f = 0
Standby Current (One
Port CMOS Level)
[10]
CE
L
| CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX
2.4
2.4
V
OL
0.4
0.4
0.4
0.4
V
V
IH
V
IL
I
OZ
I
CC
2.2
2.2
2.2
2.2
V
V
μ
A
mA
mA
0.8
10
450
0.8
10
420
0.8
10
360
410
0.8
10
300
–
10
–
10
–
10
–
10
Com
’
l.
Ind.
[9]
250
235
215
245
195
I
SB1
Com
’
l.
Ind.
[9]
45
115
40
105
35
50
95
110
30
85
mA
mA
I
SB2
Com
’
l.
Ind.
[9]
175
235
160
220
145
160
205
220
125
190
mA
mA
I
SB3
Com
’
l.
Ind.
[9]
0.05
0.5
0.05
0.5
0.05
0.05
0.5
0.5
0.05
0.5
mA
mA
I
SB4
Com
’
l.
Ind.
[9]
160
200
145
185
130
145
170
185
110
150
mA
mA
Capacitance
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
Max.
10
10
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C09379-7AC DIODE SCHOTTKY SINGLE 75V 200mW 0.45V-vf 150mA-IFM 10mA-IF 5uA-IR SOD-123 3K/REEL
CY7C09379-9AC 0.1UF 50V 10% 0805 X7R CERAMIC CAPACITOR
CY7C09279-12AC 32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM
CY7C09279-6AC 32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM
CY7C09279-7AC 32K/64K X 16/18 Synchronous Dual Port Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C09379V-12AC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C09379V-12AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C09379V-12AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C09379V-6AXC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C09389V-12AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 64K x 18 25ns/12ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:64KX18 3.3V DUAL PORT SRAM - Bulk
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