參數(shù)資料
型號(hào)： CY62167DV30
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 16-Mbit (1M x 16) Static RAM(16-Mb(1M x 16)靜態(tài)RAM)
中文描述： 16兆位（1米× 16），靜態(tài)存儲(chǔ)器（16字節(jié)（1米× 16），靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 322K
代理商： CY62167DV30
CY62167DV30 MoBL
Document #: 38-05328 Rev. *G
Page 4 of 12
Notes:
10.Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
11.This applies for all packages.
12.Test condition for the 45 ns part is with a load capacitance of 30 pF.
13.Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min.)
> 100
μ
s.
Capacitance
[10, 11]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
CC
= V
CC(typ)
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
10
pF
Thermal Resistance
[10]
Parameter
Description
Test Conditions
VFBGA
TSOP I
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
2-layer printed circuit board
55
60
°
C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
16
4.3
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
[12]
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
50 pF
[12]
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalent to:
THE VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Parameters
2.5V
3.0V
Unit
R1
16667
1103
R2
15385
1554
R
TH
8000
645
V
TH
1.20
1.75
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Typ.
[2]
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
1.5
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V
CE
1
> V
CC
– 0.2V, CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
10
μ
A
t
CDR[10]
t
R[13]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
Operation Recovery Time
t
RC
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62167EV18 Replacement for National Semiconductor part number 9334DM. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY62167EV18LL-55BAXI Replacement for National Semiconductor part number 9334DMQB. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY62167EV18LL-55BVXI Replacement for National Semiconductor part number 9334FM. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY62167E Replacement for National Semiconductor part number 9328FMQB. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY62167ELL-45ZXI Replacement for National Semiconductor part number 9328PCQR. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62167DV30L-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 70ns 48-Pin VFBGA
CY62167DV30LL-45ZI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62167DV30LL-45ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY62167DV30LL-45ZXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY62167DV30LL-55BVI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 1.8V SUPER LO PWR 1MEGX16 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*