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參數(shù)資料
| 型號： | CY62146EV30LL |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 4兆位（256K × 16）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | CY62146EV30LL |
CY62146EV30 MoBL
Document #: 38-05567 Rev. *C
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Capacitance
(For All Packages)
[9]
Parameter
C
IN
C
OUT
Description
Input Capacitance
Output Capacitance
Test Conditions
Max
10
10
Unit
pF
pF
T
A
= 25°C, f = 1 MHz,
V
CC
= V
CC(typ)
Thermal Resistance
[9]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
VFBGA
Package
75
TSOP II
Package
77
Unit
°
C/W
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
10
13
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
[2]
Max
Unit
V
DR
I
CCDR [8]
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
1.5
V
V
CC
= 1.5V, CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
0.8
7
μ
A
t
CDR [9]
t
R [10]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
Operation Recovery Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
ALL INPUT PULSES
R
TH
R1
Equivalent to: THEVENIN EQUIVALENT
V
CC(min)
t
R
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 1.5V
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
Notes:
9. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
10.Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min)
> 100
μ
s.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62146EV30LL-45BVXI | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146EV30LL-45ZSXI | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146E | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146ELL-45ZSXA | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146ELL-45ZSXI | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62146EV30LL-45BVXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Ultra LO Pwr HI SPD Micropwr IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62146EV30LL-45BVXIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Ultra LO Pwr HI SPD Micropwr IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62146EV30LL-45ZSXA | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4-Mb 256K x 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62146EV30LL-45ZSXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4 Mb 256Kb x 16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62146EV30LL45ZSXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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