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參數(shù)資料
| 型號： | CY62128ELL-55ZAXE |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 862K |
| 代理商： | CY62128ELL-55ZAXE |
Document #: 38-05485 Rev. *E
Page 4 of 11
CY62128E MoBL
Thermal Resistance
[9]
Parameter
Description
Test Conditions
SOIC
Package
48.67
STSOP
Package
32.56
TSOP
Package
33.01
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
°
C/W
Θ
JC
25.86
3.59
3.42
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
3.0V
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalentto:
THEVENIN
EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
Value
1800
990
639
1.77
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
I
CCDR [8]
Description
Conditions
Min
2
Typ
[3]
Max
Unit
V
μ
A
μ
A
ns
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= V
DR
, CE
1
> V
CC
0.2V or CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Ind’l/Auto-A
Auto-E
4
30
t
CDR [9]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery
Time
0
t
R [10]
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[11]
V
CC(min)
t
R
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 2.0V
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
Notes
10.Full device AC operation requires linear V
ramp from V
to V
> 100
μ
s or stable at V
> 100
μ
s.
11. CE is the logical combination of CE
1
and CE
2
. When CE
1
is LOW and CE
2
is HIGH, CE is LOW; when CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW, CE is HIGH.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62136EV30 | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62136EV30LL-45BVXI | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62136EV30LL-45ZSXI | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62136FV30 | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| CY62136FV30LL | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62128ELL-55ZAXET | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128ESL-45SXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128EV30 | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128EV30_09 | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1 Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128EV30_11 | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (128 K × 8) Static RAM Typical standby current: 1 μA |
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