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參數(shù)資料
| 型號： | CY62128BNLL-70SXA |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | CY62128BNLL-70SXA |
CY62128BN
MoBL
Document #: 001-06498 Rev. *A
Page 4 of 12
Capacitance
[5]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
Max.
9
9
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
Thermal Resistance
[5]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
32 SOIC
66.17
32 STSOP
105.14
32 TSOP
97.44
Unit
°
C/W
Test conditions follow standard test
methods and procedures for measuring
thermal impedance, per EIA / JESD51.
Θ
JC
30.87
14.09
26.05
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
90%
10%
V
CC
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
100 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R1 1800
R1 1800
R2
990
R2
990
639
Equivalent to:
THéVENIN EQUIVALENT
1.77V
Rise TIme:
1 V/ns
Fall TIme:
1 V/ns
Data Retention Waveform
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
[6]
Min.
2.0
Typ.
Max.
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V, or CE
2
≤
0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V or, V
IN
≤
0.3V
Commercial/
Industrial
Automotive-A
Automotive-E
1.5
15
1.5
25
μ
A
ns
t
CDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
0
t
R
Note:
5. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
6. No input may exceed V
CC
+ 0.5V.
70
ns
V
CC
, min.
t
R
V
CC
, min.
t
CDR
V
DR
> 2V
CE
1
or
V
CC
CE
2
DATA RETENTION MODE
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62128BNLL-70ZXI | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128BNLL-70SXC | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128BNLL-70SXE | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128BNLL-70SXI | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
| CY62128BNLL-70ZAI | 1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62128BNLL-70SXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128BNLL-70SXC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62128BNLL-70SXCT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62128BNLL-70SXE | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62128BNLL-70SXET | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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