參數(shù)資料
型號(hào)： CY22E016L-SZ35XIT
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16-Kbit (2K x 8) nvSRAM
中文描述： 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-28
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
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代理商： CY22E016L-SZ35XIT
PRELIMINARY
CY22E016L
Document #: 001-06727 Rev. *C
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Thermal Resistance
[3]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
28-SOIC
TBD
Unit
°
C/W
Test conditions follow standard test methods and proce-
dures for measuring thermal impedance, per EIA / JESD51.
Θ
JC
TBD
°
C/W
AC Test Loads
AC Test Conditions
5.0V
OUTPUT
30 pF
R1 480
R2
255
Input Pulse Levels..................................................0 V to 3 V
Input Rise and Fall Times (10% - 90%)........................ <5 ns
Input and Output Timing Reference Levels....................1.5 V
[+] Feedback
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PDF描述
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參數(shù)描述
CY22E016L-SZ45XC 功能描述:NVRAM nvSRAM 2Kx8 5V COM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY22E016L-SZ45XCT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22E016L-SZ45XI 功能描述:NVRAM nvSRAM 2Kx8 5V IND RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY22E016L-SZ45XIT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:16 Kbit (2K x 8) nvSRAM
CY22J 制造商:SUNX 功能描述:New
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