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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK5V8257BTM-10LL |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 32768字× 8位高速CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | CXK5V8257BTM-10LL |
– 7 –
CXK5V8257BTM/BYM/BM
V
CC
3.0V
2.0V
V
DR
CE
GND
t
CDRS
Data retention mode
t
R
CE
≥
V
CC –
0.2V
Data retention waveform
Low supply voltage data retention waveform
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70°C)
Item
Symbol
Test condiitions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Data retention voltage
Data retention
current
Data retention setup
time
Recovery time
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
t
CDRS
t
R
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3.0V,
CE
≥
2.8V
V
CC
= 2.0 to 3.6V,
CE
≥
V
CC
– 0.2V
Chip disable to data retention mode
2.0
—
—
—
—
0
5
3.6
3
0.6
0.3
3.5
—
—
—
—
—
0.1
0.12
1
—
—
V
μA
μA
ns
ms
0 to +70°C
0 to +40°C
+25°C
1
V
CC
= 3.3V, Ta = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK5V8257BTM-70LL | 32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5V8512TM- | 65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5V8512TM-10LLX | 65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5V8512TM-85LLX | 65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK77910AYM | 131,072-Word by 9-Bit High-Speed Synchronous Static RAM(131072字 × 9位高速同步靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK5V8257BTM-70LL | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5V8257BTM-70LLX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| CXK5V8257BTM-85LLX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| CXK5V8257BYM | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5V8257BYM-10LL | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:32768-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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