參數(shù)資料
型號(hào)： CPH6332
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述： P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： CPH6332
CPH6332
No. A0726-2/4
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Ratings
typ
1500
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=
--
10V, f=1MHz
VDS=
--
10V, f=1MHz
VDS=
--
10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=
--
10V, VGS=
--
4V, ID=
--
6A
VDS=
--
10V, VGS=
--
4V, ID=
--
6A
VDS=
--
10V, VGS=
--
4V, ID=
--
6A
IS=
--
6A, VGS=0V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
230
180
17
135
110
140
12
2.7
3.7
--
0.82
--
1.5
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : CPH6
3
2
1
6
4
5
2.9
0.05
0.4
2
1
0
0
0
0
0
0.15
0.95
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --3A
RL=3.3
VDD= --10V
VOUT
CPH6332
VIN
0V
--4V
VIN
ID -- VDS
-.V
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
0
0
--2
--3
--4
--5
--6
--0.2
--1
0
--3
--2
--6
--4
--5
--1
--1.0
--0.8
--0.6
IT12168
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
IT12169
--0.4
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
VDS=
--
10V
--1.5V
-0
-5
-18V
-0
VGS= --1.0V
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PDF描述
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