參數(shù)資料
型號： CNA1009H
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 開關(guān)
英文描述： Photo lnterrupter
中文描述： 5 mm SLOT WIDTH, 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
封裝： PISTR104-004, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： CNA1009H
2
CNZ1021, CNZ1023, CNA1009H
SHG00017BED
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
50
R
L
V
CC
Sig. out
10%
90%
Sig. in
t
r
t
f
(Input pulse)
(Output pulse)
t
r
: Rise time
t
f
: Fall time
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Input (Light
emitting diode) voltage
Reverse
CNZ1021
V
R
3
V
CNZ1023
3
CNA1009H
5
Forward current
Power dissipation
*1
I
F
P
D
V
CEO
50
mA
75
mW
Output (Photo Collector-emitter voltage
transistor)
(Base open)
30
V
Emitter-collector voltage
(Base open)
V
ECO
5
V
Collector current
Collector power dissipation
*2
I
C
20
mA
P
C
T
opr
100
mW
Temperature
Operating ambient temperature
25 to
+
85
40 to
+
100
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Input
characteristics
Reverse current
Forward voltage
V
F
I
F
=
20 mA
V
R
=
3 V
V
CE
=
10 V
1.25
1.40
V
I
R
10
200
μ
A
nA
Output
characteristics
(Base open)
Collector current
Collector-emitter cutoff current
I
CEO
10
Transfer
characteristics
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
Rise time
*
I
C
V
CC
=
5 V, I
F
=
20 mA, R
L
=
100
I
F
=
40 mA, I
C
=
1 mA
V
CC
=
5 V, I
C
=
1 mA
R
L
=
100
0.5
15.0
mA
0.4
V
t
r
t
f
5
μ
s
μ
s
Fall time
*
5
■
Electrical-Optical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Input and output are practiced by electricity.
2. This device is designed be disregarded radiation.
3.*: Switching time measurement circuit
Note)*1: Input power derating ratio is 1.0 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
*2: Output power derating ratio is 1.33 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
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PDF描述
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