參數(shù)資料
型號(hào)： CMPTA42E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： CMPTA42E
CMPTA14E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
NPN SILICON
DARLINGTON TRANSISTOR
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (13-May 2002)
Description:
The Central Semiconductor CMPTA14E is an
Enhanced version of the CMPTA14 NPN Darlington
Transistor. This device is manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount SOT-23 package, designed for applications
requiring extremely high gain.
Marking Code is C1NE .
Enhanced Specifications:
BVCBOfrom 30V min to 40V min.
VCE(SAT)from 1.5V max to 1.0V max.
hFEfrom 10K min to 30K min.
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
UNITS
V
V
40
40
10
500
350
V
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCES
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCB=40V
VEB=10V
IC=100μA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
MIN
TYP
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
40
60
0.75
1.0
2.0
30,000
40,000
10,000
125
70,000
75,000
35,000
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPTA92 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | SOT-23
CMPTA92E TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
CMPTH81 TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
CMPWR100S Analog IC
CMS409-7 x18 Fast Page Mode DRAM Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMPTA42E TR 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPTA42E Series 6 V 500 mA NPN SMT Complementary Silicon Transistor - SOT-23
CMPTA42NPN 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CMPTA44 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA44 TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA44_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTOR
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