參數資料
型號： CMPTA92E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 350V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 112K
代理商： CMPTA92E
CMPTA14E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
NPN SILICON
DARLINGTON TRANSISTOR
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (13-May 2002)
Description:
The Central Semiconductor CMPTA14E is an
Enhanced version of the CMPTA14 NPN Darlington
Transistor. This device is manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount SOT-23 package, designed for applications
requiring extremely high gain.
Marking Code is C1NE .
Enhanced Specifications:
BVCBOfrom 30V min to 40V min.
VCE(SAT)from 1.5V max to 1.0V max.
hFEfrom 10K min to 30K min.
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
MAXIMUM RATINGS
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
UNITS
V
V
40
40
10
500
350
V
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCES
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCB=40V
VEB=10V
IC=100μA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
MIN
TYP
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
40
60
0.75
1.0
2.0
30,000
40,000
10,000
125
70,000
75,000
35,000
MHz
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PDF描述
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參數描述
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