型號(hào): | CMBT5551 |
廠商: | Continental Device India Limited |
英文描述: | SILICON NPN HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
中文描述: | 硅npn型高壓晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 66K |
代理商: | CMBT5551 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CMBT6520 | HIGH?VOLTAGE TRANSISTOR |
CMBT847 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
CMBT857 | PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
CMBT9012 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR |
CMBT9012G | PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CMBT5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT5551T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT6517 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
CMBT6520 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:HIGH?VOLTAGE TRANSISTOR |
CMBT8050 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |