參數(shù)資料
型號： CMBT2222A-T
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 75K
代理商： CMBT2222A-T
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
td
ns
tr
ts
tf
fall time
<
60
<
25
Turn-off time switched from IC= 150mA
storage time
<
225
Switching times
(between 10% and 90% levels)
Turn-on time switched to IC= 150mA
delay time
<
10
rise time
www.rectron.com
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PDF描述
CMBT2907A-T
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參數(shù)描述
CMBT2222AT/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369T/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2484 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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