參數(shù)資料
型號(hào): CMBT2222A-T
廠商: RECTRON LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
中文描述: 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 75K
代理商: CMBT2222A-T
max 40
V
Collector current (d.c.)
IC
max 600
mA
IC = 150mA; VCE = 10V
>
40
hFE
Collector-emmitter voltage (open base)
VCEO
max 40
V
Collector-base voltage (open emitter)
VCBO
max 75
V
Emmitter base voltage (open collector)
Collector-base voltage (open emitter)
VCBO
max 75
Transition frequency at f = 100MHZ
fT
>
300
100 to 300
mW
Tamb = 25
oC
Collector current (d.c.)
IC
max 600
mA
Total power dissipation up to
Ptot
max 250
MHZ
IC = 20mA; VCE = 20V
Symbol
Value
UNIT
VEBO
max 6.0
V
IC = 500mA; VCE = 10V
D.C. current gain
Collector-emitter voltage (open base)
VCEO
V
VEBO
max 6.0
V
Emitter-base voltage (open collector)
max 250
mW
Tj
max 150
oC
Storge Temperature
Tstg
-55 to +150
Total power dissipation up to
Tamb = 25
oC
Junction Temperature
Thermal Resistance
Rth j-a
K/W
from junction to Ambient
500
Ptot
oC
UNIT
Value
Symbol
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
Ratings (at TA = 25
oC unless otherwise specified)
Limmiting values
Unit: inch (mm)
Pin configuration:
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
www.rectron.com
1 of 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBT2907A-T
CMBT8050 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBT8050C NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBT8050D NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBT8050E NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBT2222AT/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369T/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2484 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR