參數(shù)資料
型號(hào)： CMBT2222A-T
廠(chǎng)商： RECTRON LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： CMBT2222A-T
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors
CMBT2222A
Noise figure at RS = 1K ohm
F
<
4.0
dB
IC = 100uA; VCE = 10V; f= 1kHZ
pF
IE = 0; VCB = 10V
Input capacitance at f = 1 MHZ
Ci
<
25
pF
IE = 0; VEB = 0.5V
V
IC = 10mA; VCE = 10V; Tamb= -55
oC
IC = 0.1mA; VCE = 10V
IC = 1mA; VCE = 10V
hFE
>
35
>
50
>
75
>
35
100 to 300
D.C. current gain
IC = 150mA; VCE = 1V
IC = 500mA; VCE = 10V
>
40
>
50
Transition frequency at f = 100 MHZ
IC = 20mA; VCE = 20V
IC = 500mA; IB = 50 mA
<
1.0
<
2.0
VCEsat
VBEsat
Breakdown voltages
IC = 0; IE = 10uA
V
IC = 150mA; IB = 15 mA
VCEsat
<
300
mV
VBEsat
0.6 to 1.2
V
nA
Base current
IBEX
<
20
nA
with reverse biased emitter junction
VFB = 3V; VCE = 60V
Collector cut-off current
ICEX
<
10
IE = 0; VCB = 60V
ICBO
< 0.01
ICBO
IC = 150mA; VCE = 10V
fT
>
300
MHZ
uA
IE = 0; VCB = 60V; Tj = 125
oC
Emitter-base cut-off current
IEBO
<
10
nA
IC = 0; VEB = 3 V
VEB = 3 V; VCE = 60V
Symbol
IC = 1.0mA; IB = 0
IC = 100uA; IE = 0
V(BR)CEO
V(BR)CBO
IC = 10mA; VCE = 10V
Output capacitance at f = 1 MHZ
CO
<
8.0
Saturation voltage
<
10
Value
UNIT
V(BR)EBO
>
40
>
75
>
6.0
Characteristics (at Tj=25
oC unless otherwise specified)
www.rectron.com
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PDF描述
CMBT2907A-T
CMBT8050 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
CMBT2222AT/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2369T/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT2484 制造商:CDIL 制造商全稱(chēng):Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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