參數(shù)資料
型號： GS881E18
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 為512k × 18，256K × 36 9Mb以上同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 28/37頁
文件大?。?/td> 662K
代理商： GS881E18
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
26/29
2001, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關PDF資料
PDF描述
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GS881Z32CGD-150VT 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165
GS881Z36BGT-200T 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100
GS881Z36BGT-250IT 256K X 36 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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