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CSD18535KTTT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD18535KTTT
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    CSD18535KTTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 27760

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD18535KTTT
    CSD18535KTTT

    CSD18535KTTT

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 27200

  • TI

  • TO-263-3

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十,電話:0...

  • CSD18535KTTT
    CSD18535KTTT

    CSD18535KTTT

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 1560

  • TI/德州儀器

  • TO-263

  • 20+

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
CSD18535KTTT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 200A(Ta),279A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 2 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 81nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 6620pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18535KTTT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.8 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1770pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1880pF @ 30V 功率 - 最大值:107W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT
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