參數(shù)資料
型號: BYQ30ED-100
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier diodes ultrafast, rugged
中文描述: 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 49K
代理商: BYQ30ED-100
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYQ30ED series
Fig.7. Maximum I
rrm
at T
j
= 25 C.
Fig.8. Maximum I
rrm
at T
j
= 100 C.
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
I
F
= f(V
F
); parameter T
j
Fig.10. Maximum Q
s
at T
j
= 25 C.
Fig.11. Transient thermal impedance; Z
th j-mb
= f(t
p
).
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
10
1.0
1.0
10
100
-dIF/dt (A/us)
Qs / nC
IF=10A
5A
1A
100
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10
100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=10A
0.1
0.01
10 s
0.1 s
1 ms
pulse width, tp (s)
10 us
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
10
1
P
t
p
t
D
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
BYQ30
Forward voltage, VF (V)
Forward current, IF (A)
typ
max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
October 1997
4
Rev 1.000
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