參數(shù)資料
型號： BYD13M
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Controlled avalanche rectifiers
中文描述： 0.4 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： BYD13M
1996 May 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
Controlled avalanche rectifiers
BYD13 series
Solid line: T
j
= 25
°
C.
Dotted line: T
j
= 175
°
C.
Fig.6
Forward current as a function of forward
voltage; maximum values.
handbook, halfpage
0
4
2
0
2
1
MBG048
IF
(A)
VF (V)
Fig.7
Reverse current as a function of junction
temperature; maximum values.
handbook, halfpage
200
0
MGC739
10
2
10
1
160
120
40
80
(
μ
A)
IR
Tj (
o
C)
V
R
= V
RRMmax
.
Fig.8
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
1
MGC740
10
10
2
10
3
1
10
(pF)
Cd
VR (V)
Fig.9 Device mounted on a printed-circuit board.
handbook, halfpage
MGA200
3
2
7
50
25
50
Dimensions in mm.
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