參數(shù)資料
型號： BYD13M
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Controlled avalanche rectifiers
中文描述： 0.4 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 39K
代理商： BYD13M
1996 May 24
2
Philips Semiconductors
Product specification
Controlled avalanche rectifiers
BYD13 series
FEATURES
Glass passivated
High maximum operating
temperature
Low leakage current
Excellent stability
Guaranteed avalanche energy
absorption capability
Available in ammo-pack.
DESCRIPTION
Cavity free cylindrical glass package
through Implotec
(1)
technology.
This package is hermetically sealed
and fatigue free as coefficients of
expansion of all used parts are
matched.
(1) Implotec is a trademark of Philips.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BYD13D
BYD13G
BYD13J
BYD13K
BYD13M
13D PH
13G PH
13J PH
13K PH
13M PH
Fig.1 Simplified outline (SOD81) and symbol.
handbook, 4 columns
a
k
MAM123
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
RRM
repetitive peak reverse voltage
BYD13D
BYD13G
BYD13J
BYD13K
BYD13M
crest working reverse voltage
BYD13D
BYD13G
BYD13J
BYD13K
BYD13M
continuous reverse voltage
BYD13D
BYD13G
BYD13J
BYD13K
BYD13M
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
V
RWM
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
V
R
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
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PDF描述
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