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參數(shù)資料
| 型號： | BUZ80 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | BUZ80 |
THERMAL DATA
TO-220
ISOWATT220
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.25
3.12
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
3.4
A
E
AS
180
mJ
E
AR
4.8
mJ
I
AR
2.1
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
800
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
25
250
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 1 mA
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.7 A
3.3
4
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3.4
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.7 A
1
3.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
650
82
28
850
105
40
pF
pF
pF
BUZ80/FI
2/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BY223-600 | FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| BY233-600 | Fast Recovery Rectifier Diodes(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BY239L-800 | RECTIFIER DIODES |
| BYT 08P-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BYT 08PI-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ80A | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUZ80A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 ((NW)) |
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
| BUZ80AFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
| BUZ80F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
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